Kısa tanıtım
IGBT modülü cRRC tarafından üretilen tek anahtar IGBT modülleri. 1700V 1200A.
Anahtar Parametreler
V CES |
1700 |
V |
V CE (sat ) |
(Tip) |
2.30 |
V |
Ben C |
(Maks) |
800 |
A |
Ben C(RM) |
(Maks) |
1600 |
A |
Tipik Uygulamalar
- Traction drives
- Motor Kontrol Cihazları
-
Rüzgar Güç
-
Yüksek Güvenilirlik Değiştiriciler
Özellikler
-
AlSiC Temel
-
AIN Alt Yapılar
-
Yüksek Termal Döngü Yetenek
-
10μ sahip Kısa DEVRE Dayanın.
-
Düşük V cE (sat ) cihazı
-
Yüksek akım yoğunluk
Mutlak Maksimum Değerlendirme
(Sembol) |
(Parametre) |
(Test Koşulları) |
(değer) |
(Birim) |
VCES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
V GE = 0V, TC= 25 。C |
1700 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
TC= 25 。C |
± 20 |
V |
I C |
Kollektör-emiter akımı |
TC = 80 。C |
800 |
A |
I C(PK) |
Zirve kollektör akımı |
t P=1ms |
1600 |
A |
P max |
Maks. transistör güç dağılımı |
Tvj = 150 。C, TC = 25 。C |
6.94 |
kw |
I 2t |
Diyot I 2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C |
120 |
kA2s |
|
Visol
|
İzolasyon voltajı – modül başına |
( Ortak terminaller taban plakasına bağlıdır),
AC RMS,1 dk, 50Hz,TC= 25 。C
|
4000 |
V |
Q PD |
Kısmi deşarj – modül başına |
IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C |
10 |
pC |
Elektriksel Karakteristikler
(Sembolik ) |
(Parametre ) |
(Test Koşulları) |
(Min ) |
(Tip ) |
(Max ) |
(Birim ) |
|
|
I CES
|
Kollektör kesme akımı |
V GE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
|
V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C |
|
|
25 |
mA |
|
I GES |
Kapı sızıntı akımı |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
4 |
μA |
|
V GE (TH) |
Kapı eşik voltajı |
I C = 40mA, V GE = VCE |
5.00 |
5.70 |
6.50 |
V |
|
|
VCE (sat)(*1)
|
Toplayıcı-Emiter Doyma Gerilimi |
V GE =15V, I C = 800A |
|
2.30 |
2.60 |
V |
|
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C |
|
2.80 |
3.10 |
V |
|
I F |
Diyot ileri akımı |
dC DC |
|
|
800 |
A |
|
I FRM |
Diyot maksimum ileri akımı |
t P = 1ms |
|
|
1600 |
A |
|
|
VF(*1)
|
Diyot ileri voltajı |
I F = 800A |
|
1.70 |
2.00 |
V |
|
I F = 800A, Tvj = 125 ° C |
|
1.80 |
2.10 |
V |
|
C ies |
Girdi Kapasitesi |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
60 |
|
nF |
|
Q g |
Geçit Ücreti |
±15V |
|
9 |
|
μC |
|
C res |
Ters transfer kapasitansı |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
-
|
|
nF |
|
L M |
Modül endüktansı |
|
|
20 |
|
nH |
|
R INT |
Dahili transistör direnci |
|
|
270 |
|
μΩ |
|
|
I SC
|
Kısa devre akımı, ISC |
Tvj = 125° C, VCC = 1000V,
V GE ≤15V, tp ≤10μs,
VCE(maks) = VCES – L (*2)×di/dt,
IEC 6074-9
|
|
3700
|
|
A
|
|
td ((off) |
Kapatma gecikme süresi |
I C =800A
VCE =900V
L ~ 100nH
V GE = ±15V
RG(ON) = 2.2Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
890 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
220 |
|
ns |
E OFF |
Kapatma enerji kaybı |
|
220 |
|
mJ |
td ((on) |
Açma Gecikme Zamanı |
|
320 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
190 |
|
ns |
Eon |
Açma enerji kaybı |
|
160 |
|
mJ |
Q rr |
Diyot ters geri yükleme yükü |
I F = 800A
VCE = 900V
diF/dt =4000A/us
|
|
260 |
|
μC |
I rr |
Diyot ters geri yükleme akımı |
|
510 |
|
A |
E rec |
Diyot ters geri yükleme enerjisi |
|
180 |
|
mJ |
td ((off) |
Kapatma gecikme süresi |
I C =800A
VCE =900V
L ~ 100nH
V GE = ±15V
RG(ON) = 2.2Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
980 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
280 |
|
ns |
E OFF |
Kapatma enerji kaybı |
|
290 |
|
mJ |
td ((on) |
Açma Gecikme Zamanı |
|
400 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
250 |
|
ns |
Eon |
Açma enerji kaybı |
|
230 |
|
mJ |
Q rr |
Diyot ters geri yükleme yükü |
I F = 800A
VCE = 900V
diF/dt =4000A/us
|
|
420 |
|
μC |
I rr |
Diyot ters geri yükleme akımı |
|
580 |
|
A |
E rec |
Diyot ters geri yükleme enerjisi |
|
280 |
|
mJ |
EN
