TG1800HF17H1-S500,IGBT Modülü,Yarı Köprü IGBT,CRRC

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

测试条件

Test koşulları

数值 Değer

birim Birim

V CES

集电极 -emisyon Elektrodu Voltajı

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

V GE = 0V, T C = 25 °C

1700

V

V GES

kapı -emisyon Elektrodu Voltajı

Kapı-Emitör Voltajı

T C = 25 °C

± 20

V

Ben C

集电极电流 (Küçük elektrik)

Kollektör-emiter akımı

T C = 85 °C, T vj max = 175°C

1800

A

Ben C (((PK)

集电极峰值电流

Zirve kollektör akımı

t P =1ms

3600

A

P max

transistör Bölümünde Maksimum Kaybı

Maks. transistör güç dağılımı

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kw

Ben 2t

diyot Ben 2t 值 Diyot Ben 2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 175 °C

551

kA 2sahip

V i̇zol

绝缘 elektrik basıncı (模块 )

İzolasyon voltaj - her modül

tüm terminalleri kısa devre yapın, terminal ile temel plaka arasında voltaj uygulayın ( Bağlı terminal s için taban plaka), AC RMS,1 dakika, 50Hz, T C = 25 °C

4000

V

参数 Sembolik

açıklama

Açıklama

值 Değer

birim Birim

sürünme mesafesi

Sızma mesafesi

uçak -isı dissipation cihazı

Terminal to isı çubuğu

36.0

mm

uçak -uçak

Terminal ile Terminal

28.0

mm

i̇zolasyon Aralığı Tasfiye

uçak -isı dissipation cihazı

Terminal to isı çubuğu

21.0

mm

uçak -uçak

Terminal ile Terminal

19.0

mm

göreceli elektrostatik iz bırakma indeksi

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

测试条件

Test koşulları

最小值 en küçük değer Min.

tipik değerler Tipik.

maksimum değer Max.

birim Birim

R th(j-c) IGBT

IGBT kasa termal direnci

Termal direnç – IGBT

16

K / kw

R th(j-c) Diyot

diyot kesit kasa termal direnci

Termal direnç – Diyot

33

K / kw

R th ((c-h) IGBT

temas termal direnci (IGBT)

Termal direnç –

kasa soğutma kutusuna (IGBT)

montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm,

i̇le montaj gres 1W/m·K

14

K / kw

R th ((c-h) Diyot

temas termal direnci (Diyot)

Termal direnç –

kasa soğutma kutusuna (Diyot)

montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm,

i̇le montaj gres 1W/m·K

17

K / kw

T vjop

çalışma soğukluğu

İşlem birimi sıcaklık

IGBT çip ( IGBT )

-40

150

°C

diyat cevheri ( Diode )

-40

150

°C

T sTG

depolama sıcaklığı

Depolama sıcaklık aralığı

-40

150

°C

M

montaj gücü

Vida torku

montaj sıkıştırma için – M5 Montaj – M5

3

6

Nm

devre bağlantısı için – M4

Elektrikli bağlantılar – M4

1.8

2.1

Nm

devre bağlantısı için – M8

Elektrikli bağlantılar – M8

8

10

Nm

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

测试条件

Test koşulları

最小值 en küçük değer Min.

tipik değerler Tipik.

maksimum değer Max.

birim Birim

R th(j-c) IGBT

IGBT kasa termal direnci

Termal direnç – IGBT

16

K / kw

R th(j-c) Diyot

diyot kesit kasa termal direnci

Termal direnç – Diyot

33

K / kw

R th ((c-h) IGBT

temas termal direnci (IGBT)

Termal direnç –

kasa soğutma kutusuna (IGBT)

montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm,

i̇le montaj gres 1W/m·K

14

K / kw

R th ((c-h) Diyot

temas termal direnci (Diyot)

Termal direnç –

kasa soğutma kutusuna (Diyot)

montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm,

i̇le montaj gres 1W/m·K

17

K / kw

T vjop

çalışma soğukluğu

İşlem birimi sıcaklık

IGBT çip ( IGBT )

-40

150

°C

diyat cevheri ( Diode )

-40

150

°C

T sTG

depolama sıcaklığı

Depolama sıcaklık aralığı

-40

150

°C

M

montaj gücü

Vida torku

montaj sıkıştırma için – M5 Montaj – M5

3

6

Nm

devre bağlantısı için – M4

Elektrikli bağlantılar – M4

1.8

2.1

Nm

devre bağlantısı için – M8

Elektrikli bağlantılar – M8

8

10

Nm

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

测试条件

Test koşulları

最小值 en küçük değer Min.

tipik değerler Tipik.

maksimum değer Max.

birim Birim

R 25

nominal direnç değeri

Derecelendirilmiş direnç

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 sapma

Sapma R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

dissipasyon gücü

Güç Dissipasyonu

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

B değeri

R 2 = R 25exp [B 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 值

B değeri

R 2 = R 25exp [B 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 值

B değeri

R 2 = R 25exp [B 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

条件

Test koşulları

最小值 en küçük değer Min.

tipik değerler Tipik.

maksimum değer Max.

birim Birim

Ben CES

集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı)

Kollektör kesme akımı

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

Ben GES

极漏电流 (Hızlı akış)

Kapı sızıntı akımı

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

kapı -emiter eşik voltajı Kapı eşik voltajı

Ben C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 -emiter doygunluk voltajı

Kollektör-emiter doygunluğu

voltaj

V GE =15V, Ben C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, Ben C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, Ben C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

Ben F

diyot doğru akım akışı Diyot ileri akımı

DC

1800

A

Ben FRM

diyot ileri tekrar tepe akımı Diyot ileri zirve akım nt

t P = 1ms

3600

A

V F (*1)

diyot ileri voltajı

Diyot ileri voltajı

Ben F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

Ben F = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

Ben F = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

Ben SC

kısa devre akımı

Kısa devre akım

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤ 15V, t p ≤ 10μs,

V CE(max) = V CES – L (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

giriş elektrik kapasitesi

Girdi Kapasitesi

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

542

nF

Q g

极电荷

Geçit Ücreti

±15V

23.6

μC

C res

ters yönlü aktarım kapasitesi

Ters transfer kapasitansı

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

L sCE

modül dalga indüktansı

Modül dalga indukta - Ne?

8.4

nH

R CC + EE ’

modül kablo direnci, uzantı -çip M odul kablo direniş, terminal-çip

her anahtarlamada

her anahtarlamada

0.20

mΩ

R Gint

i̇ç gate direnci

İç Kapı direnç

1

ω

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

测试条件

Test koşulları

最小值 en küçük değer Min.

tipik değerler Tipik.

maksimum değer Max.

birim Birim

t d (((off)

kapatma gecikmesi

Kapatma gecikme süresi

Ben C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, R G(OFF) = 0.5Ω, L Sahip = 25nH,

d v \/dt =3800V\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

ns

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

düşen zaman Sonbahar zamanı

T vj = 25 °C

245

ns

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E OFF

kapatma kaybı

Kapatma enerji kaybı

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d(on)

开通延迟时间

Açma Gecikme Zamanı

Ben C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15V, R G(ON) = 0.5Ω, L Sahip = 25nH,

d ben \/dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

ns

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

升时间 Kalkma zamanı.

T vj = 25 °C

135

ns

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E ON

açma kaybı

Açılma enerjisi kayıp

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q rR

diyot ters iyileşme yükü Diyot ters

geri Kazanım Yükü

Ben F =1800A, V CE = 900V,

- d ben F /dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Ben rR

diyot ters iyileşme akımı Diyot ters

geri kazanım akımı

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E - Bilmiyorum.

diyot ters iyileşme kaybı Diyot ters

geri kazanım enerjisi

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420