MTC182,დამწვრობის თირისტორის რექტიფიკატორი მოდული,ჰაერის გაგრილება

VDRM, VRRM

Ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

MTC182-06-229H3/229H3B

MTC182-08-229H3/229H3B

MTC182-10-229H3/229H3B

MTC182-12-229H3/229H3B

MTC182-14-229H3/229H3B

MTC182-16-229H3/229H3B

MTC182-18-229H3/229H3B

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სიუნუს ტალღა 50Hz ერთპიროვნული გაგრილებული, Tc=85 °C

125

182

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

125

286

Ა

I _DRM I _RRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

40

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

4.0

kA

I ²t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

80

Ა ²s*10 ³

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

0.83

V

r _T

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

1.30

mΩ

V _TM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=550A

25

1.80

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.6

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

250

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.16

°C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.08

°C /W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6)

2.5

4.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

165

g

Კონტური

229H3 、229H3B