Მოკლე შესავალი
IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1200V 1200A.
Მახასიათებლები
-
Დაბალი VCE (სატ) Საფენი IGBT ტექნოლოგია
- 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
-
VCE (სატ) with დადებითი температура კოეფიციენტი
- Დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
- Სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
- AlSiC ბაზა მაღალი სიმძლავრის ციკლური შესაძლებლობისთვის
- AlN სუბსტრატი დაბალი თერმული წინააღმდეგობისთვის
Ტიპიური Აპლიკაციები
- Მაღალი სიმძლავრის გარდამტეხები
- Მოტორის დრაივერები
- Ცვალებად ინვერტორზე მომუშავე დრაივები
Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C =25 °C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Აღწერა |
GD1200SGT120A3S |
Ერთეულები |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1200 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
I C |
Კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C
@ ტ C =80 °C
|
2100
1200
|
Ა |
I CM |
Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 ms |
2400 |
Ა |
I F |
Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა |
1200 |
Ა |
I FM |
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms |
2400 |
Ა |
Პ D |
Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 75°C |
7.61 |
კვ |
T jmax |
Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
175 |
°C |
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი |
-40-დან +125-მდე |
°C |
V ISO |
Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ |
2500 |
V |
Დაყენება Ტორქი |
Სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4 |
1.8 დან 2.1 |
|
Ენერგიის ტერმინალის ხრახნი:M8 |
8.0 დან 10 |
N.m |
Დამონტაჟების შრიფტი:M6 |
4.25 დან 5.75 |
|
Ოთხობი Მახასიათებლები of IGBT T C =25 °C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Გარეთ მახასიათებლები
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეულები |
V (BR )CES |
Კოლექტორი-გამომავალი
Გამორთვის ძაბვა
|
T ჯ =25 °C |
1200 |
|
|
V |
I CES |
Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული
Დიდება
|
V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C |
|
|
5.0 |
mA |
I Გენერალური საწვავის სისტემა |
Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება |
V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C |
|
|
400 |
nA |
Მახასიათებლების შესახებ
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეულები |
V Გენერალური საწარმოები (th ) |
Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი |
I C =48 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
V CE ((sat)
|
Შემგროვებელი გამცემი
Გამსჭვალვის ძაბვა
|
I C = 1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
I C = 1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C |
|
2.00 |
|
Მახასიათებლების შეცვლა
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეულები |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =1200A,
R Გონ =1.8Ω, R Გოფ =0.62Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =25 °C
|
|
550 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
230 |
|
n |
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
830 |
|
n |
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
160 |
|
n |
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
/ |
|
mJ |
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
/ |
|
mJ |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C = 1200A,
R Გონ = 1.8Ω,R Გოფ =0.62Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15V,T ჯ =125 °C
|
|
650 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
240 |
|
n |
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
970 |
|
n |
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
190 |
|
n |
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
246 |
|
mJ |
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
189 |
|
mJ |
C ies |
Შეყვანის სიმძლავრე |
V CE =25V,f=1MHz,
V Გენერალური საწარმოები =0V
|
|
85.5 |
|
nF |
C oes |
Გამოსავალი გამტარუნარიანობა |
|
4.48 |
|
nF |
C res |
Საპირისპირო გადაცემა
Გამტარუნარიანობა
|
|
3.87 |
|
nF |
I SC
|
Ს.კ. მონაცემები
|
t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 V,
T ჯ =125 °C,
V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V
|
|
4800
|
|
Ა
|
R Გინტი |
Შიდა კარიბჭე
Გამძლეობა
|
|
|
1.9 |
|
ω |
L CE |
Ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
|
15 |
|
nH |
R CC+EE
|
Მოდული Lead
Ოპერაციული წინააღმდეგობა,
Ტერმინალი ჩიპზე
|
|
|
0.10
|
|
mΩ
|
Ოთხობი Მახასიათებლები of Დიოდი T C =25 °C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეულები |
V F |
Დიოდი წინ
Ვოლტი
|
I F = 1200A |
T ჯ =25 °C |
|
1.65 |
2.05 |
V |
T ჯ =125 °C |
|
1.65 |
|
Q r |
Აღდგენილი
Დავალება
|
I F = 1200A,
V R =600V,
R Გონ =0.6Ω,
V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი
|
T ჯ =25 °C |
|
112 |
|
μC |
T ჯ =125 °C |
|
224 |
|
I RM |
Პიკის საპირისპირო
Აღდგენის დენი
|
T ჯ =25 °C |
|
850 |
|
Ა |
T ჯ =125 °C |
|
1070 |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
T ჯ =25 °C |
|
48.0 |
|
mJ |
T ჯ =125 °C |
|
96.0 |
|
Თერმული მახასიათებელი ics
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეულები |
R θ Ჟ.კ. |
Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ) |
|
19.7 |
K/kW |
R θ Ჟ.კ. |
Კვანძები (D-ზე) იოდი) |
|
31.3 |
K/kW |
R θ CS |
Კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია) ტყუილი) |
8 |
|
K/kW |
Წონა |
Წონა Მოდული |
1050 |
|
g |